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NXP Semiconductors
PESDxS5UD series
Fivefold ESD protection diode arrays
Table 8. Characteristics …continued
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
V CL
PESD3V3S5UD
PESD5V0S5UD
PESD12VS5UD
PESD15VS5UD
PESD24VS5UD
clamping voltage
[1][2]
-
-
-
-
-
215
165
73
60
45
300
220
100
90
70
pF
pF
pF
pF
pF
PESD3V3S5UD
PESD5V0S5UD
PESD12VS5UD
PESD15VS5UD
PESD24VS5UD
I PP = 1 A
I PP = 20 A
I PP = 1 A
I PP = 20 A
I PP = 1 A
I PP = 10 A
I PP = 1 A
I PP = 6 A
I PP = 1 A
I PP = 4 A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
12
8
13
17
24
22
33
33
52
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
r dif
differential resistance
I R = 5 mA
-
-
25
?
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to 2.
10 4
P PP
(W)
10 3
006aaa698
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
001aaa633
0.8
10 2
0.4
10
1
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
Fig 3. Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
PESDXS5UD_SER_2
Fig 4. Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical values
? NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 7 December 2006
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